内存卡原理动画演示（一个小小内存卡能存数个文件和视频，这是为什么）

本文目录

• 一个小小内存卡能存数个文件和视频，这是为什么
• 储存卡的储存内部原理是什么
• 内存卡的基本构造原理
• SD卡槽的结构是什么样的
• 存储卡的内部结构是什么，读写数据原理是什么
• 内存卡的内部构造是怎样的他是如何存储和运行的
• 内存卡是怎样存东西的
• sd卡上有开关吗
• 储存卡存储数据原理

一个小小内存卡能存数个文件和视频，这是为什么

内存卡储存原理内存卡属于闪存flash类型的产品而闪存是以单晶体管作为二进制信号的存储单元，其结构与普通的半导体晶体管非常类似，区别在于闪存的晶体管加入了“浮动栅（floating gate）”和“控制栅（Control gate）”。浮动栅用于贮存电子，表面被一层硅氧化物绝缘体所包覆，并通过电容与控制栅相耦合。当负电子在控制栅的作用下被注入到浮动栅中时，NAND单晶体管的存储状态就由1变成0；而当负电子从浮动栅中移走后，存储状态就由0变成1。包覆在浮动栅表面的绝缘体的作用就是将内部的电子“困住”，达到保存数据的目的。如果要写入数据，就必须将浮动栅中的负电子全部移走，令目标存储区域都处于1状态，只有遇到数据0时才发生写入动作，但这个过程需要耗费较长的时间，导致不管是NAND还是NOR型闪存，其写入速度总是慢于数据读取的速度。

储存卡的储存内部原理是什么

将存储卡看做网状结构，也就是矩阵结构，这叫作Flash存贮矩阵，由网格中的小存贮单元构成，靠的是储存芯片Flash，储存的都是二进制信息，具体的情况可以参考下面的内容。

1、储存卡是靠flash芯片储存信息的，其存储原理要从EPROM和EEPROM说起，EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。其基本单元电路常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。

2、其次，在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在SiO2绝缘层中，与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后（譬如负电荷），就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管导通，即表示存入0。若浮空栅极不带电，则不形成导电沟道，MOS管不导通，即存入1。 

3、另外，EEPROM基本存储单元电路与EPROM相似，它是在EPROM基本单元电路的浮空栅的上面再生成一个浮空栅，前者称为第一级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压VG。若VG为正电压，第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。若使VG为负电压，强使第一级浮空栅极的电子散失，即擦除，擦除后可重新写入。

4、SD卡存储卡，是用于手机、数码相机、便携式电脑、MP3和其他数码产品上的独立存储介质，一般是卡片的形态，故统称为“存储卡”。存储卡具有体积小巧、携带方便、使用简单的优点。同时，由于大多数存储卡都具有良好的兼容性，便于在不同的数码产品之间交换数据。近年来，随着数码产品的不断发展，存储卡的存储容量不断得到提升，应用也快速普及。

内存卡的基本构造原理

　　存也叫主存，是PC系统存放数据与指令的半导体存储器单元，也叫主存储器（Main Memory），通常分为只读存储器（ROM-Read Only Memory）、随机存储器（RAM-Red Access Memory）和高速缓存存储器（Cache）。我们平常所指的内存条其实就是RAM，其主要的作用是存放各种输入、输出数据和中间计算结果，以及与外部存储器交换信息时做缓冲之用。　　下面是结构：　　1、PCB板 内存条的PCB板多数都是绿色的。如今的电路板设计都很精密，所以都采用了多层设计，例如4层或6层等，所以PCB板实际上是分层的，其内部也有金属的布线。理论上6层PCB板比4层PCB板的电气性能要好，性能也较稳定，所以名牌内存多采用6层PCB板制造。因为PCB板制造严密，所以从肉眼上较难分辩PCB板是4层或6层，只能借助一些印在PCB板上的符号或标识来断定。　　2、金手指 黄色的接触点是内存与主板内存槽接触的部分，数据就是靠它们来传输的，通常称为金手指。金手指是铜质导线，使用时间长就可能有氧化的现象，会影响内存的正常工作，易发生无法开机的故障，所以可以隔一年左右时间用橡皮擦清理一下金手指上的氧化物。　　3、内存芯片 内存的芯片就是内存的灵魂所在，内存的性能、速度、容量都是由内存芯片组成的。　　4、内存颗粒空位　　5、电容 PCB板上必不可少的电子元件就是电容和电阻了，这是为了提高电气性能的需要。电容采用贴片式电容，因为内存条的体积较小，不可能使用直立式电容，但这种贴片式电容性能一点不差，它为提高内存条的稳定性起了很大作用。　　6、电阻 电阻也是采用贴片式设计，一般好的内存条电阻的分布规划也很整齐合理。　　7、内存固定卡缺口：内存插到主板上后，主板上的内存插槽会有两个夹子牢固的扣住内存，这个缺口便是用于固定内存用的。　　8、内存脚缺口 内存的脚上的缺口一是用来防止内存插反的（只有一侧有），二是用来区分不同的内存，以前的SDRAM内存条是有两个缺口的，而DDR则只有一个缺口，不能混插。　　9、SPD SPD是一个八脚的小芯片，它实际上是一个EEPROM可擦写存贮器，这的容量有256字节，可以写入一点信息，这信息中就可以包括内存的标准工作状态、速度、响应时间等，以协调计算机系统更好的工作。从PC100时代开始，PC100规准中就规定符合PC100标准的内存条必须安装SPD，而且主板也可以从SPD中读取到内存的信息，并按SPD的规定来使内存获得最佳的工作环境。 　　内存工作原理　　1.内存寻址 首先，内存从CPU获得查找某个数据的指令，然后再找出存取资料的位置时（这个动作称为“寻址”），它先定出横坐标（也就是“列地址”）再定出纵坐标（也就是“行地址”），这就好像在地图上画个十字标记一样，非常准确地定出这个地方。对于电脑系统而言，找出这个地方时还必须确定是否位置正确，因此电脑还必须判读该地址的信号，横坐标有横坐标的信号（也就是RAS信号，Row Address Strobe）纵坐标有纵坐标的信号（也就是CAS信号，Column Address Strobe），最后再进行读或写的动作。 　　2.内存传输 为了储存资料，或者是从内存内部读取资料，CPU都会为这些读取或写入的资料编上地址（也就是我们所说的十字寻址方式），这个时候，CPU会通过地址总线（Address Bus）将地址送到内存，然后数据总线（Data Bus）就会把对应的正确数据送往微处理器，传回去给CPU使用。 　　3.存取时间 存取时间，指的是CPU读或写内存内资料的过程时间，也称为总线循环（bus cycle）。以读取为例，从CPU发出指令给内存时，便会要求内存取用特定地址的特定资料，内存响应CPU后便会将CPU所需要的资料送给CPU，一直到CPU收到数据为止，便成为一个读取的流程。因此，这整个过程简单地说便是CPU给出读取指令，内存回复指令，并丢出资料给CPU的过程。我们常说的6ns（纳秒，秒－9）就是指上述的过程所花费的时间，而ns便是计算运算过程的时间单位。我们平时习惯用存取时间的倒数来表示速度，比如6ns的内存实际频率为1／6ns＝166MHz（如果是DDR就标DDR333，DDR2就标DDR2 667）。

SD卡槽的结构是什么样的

SD卡槽的结构如下图所示：

SD卡槽就是一种放置SD卡的装置，它是没有 存储功能的，是为SD卡服务的，和读卡器起到的作用有些类似，但它们还是有很大区别的，比如说SD卡槽是固定在设备当中的，而读卡器则是可以移动的。

扩展资料：

SD卡是一种基于半导体快闪记忆器的新一代记忆设备， 由于它体积小数据传输速度快、可热插拔等优良的特性，被广泛地于便携式装置上使用，例如数码相机、个人数码助理(外语缩写PDA)和多媒体播放器等。

SD卡来源：SD卡的数据传送和物理规范由MMC发展而来，大小和MMC卡差不多，尺寸为32mm x 24mm x 2.1mm。长宽和MMC卡样，只是比MMC卡厚了0.7mm,以容纳更大容量的存贮单元。

S与MMC卡保持着向上的兼容，MMC卡可以被新的SD设备存取，兼容性则取决于应用软件，但SD卡却不可以被MMC设备存取。(SD卡外型采用了与MMC卡厚度一样的导轨式设计， 以使SD设备可以适合MMC卡)。

存储卡的内部结构是什么，读写数据原理是什么

动态读写存贮器（DRAM），以其速度快、集成度高、功耗小、价格低在微型计算机中得到极其广泛地使用。但动态存储器同静态存储器有不同的工作原理。它是靠内部寄生电容充放电来记忆信息，电容充有电荷为逻辑1，不充电为逻辑0。欲深入了解动态RAM的基本原理请点击。 动态存储器有多种系列，如61系列、37系列、41系列、21系列等。图示为2164芯片的引脚图。将鼠标指向相应引脚可看到其对引脚功能。它是一个64K 1bit的DRAM芯片，将8片并接起来，可以构成64KB的动态存储器。 每片只有一条输入数据线，而地址引脚只有8条。为了形成64K地址，必须在系统地址总线和芯片地址引线之间专门设计一个地址形成电路。使系统地址总线信号能分时地加到8个地址的引脚上，借助芯片内部的行锁存器、列锁存器和译码电路选定芯片内的存储单元，锁存信号也靠着外部地址电路产生。 当要从DRAM芯片中读出数据时，CPU 首先将行地址加在A0-A7上，而后送出RAS 锁存信号，该信号的下降沿将地址锁存在芯片内部。接着将列地址加到芯片的A0-A7上，再送CAS锁存信号，也是在信号的下降沿将列地址锁存在芯片内部。然后保持WE=1，则在CAS有效期间数据输出并保持。 当需要把数据写入芯片时，行列地址先后将RAS和CAS锁存在芯片内部，然后，WE有效，加上要写入的数据，则将该数据写入选中的存贮单元。 由于电容不可能长期保持电荷不变，必须定时对动态存储电路的各存储单元执行重读操作，以保持电荷稳定，这个过程称为动态存储器刷新。PC/XT机中DRAM的刷新是利用DMA实现的。首先应用可编程定时器8253的计数器1，每隔1⒌12μs产生一次DMA请求，该请求加在DMA控制器的0通道上。当DMA控制器0通道的请求得到响应时，DMA控制 器送出到刷新地址信号，对动态存储器执行读操作，每读一次刷新一行。 只读存贮器（ROM）有多种类型。由于EPROM和EEPROM存贮容量大，可多次擦除后重新对它进行编程而写入新的内容，使用十分方便。尤其是厂家为用户提供了单独地擦除器、编程器或插在各种微型机上的编程卡，大大方便了用户。因此，这种类型的只读存贮器得到了极其广泛的应用。7. RAM的工作时序 为保证存储器准确无误地工作，加到存储器上的地址、数据和控制信号必须遵守几个时间边界条件。 图7.1—3示出了RAM读出过程的定时关系。读出操作过程如下： 欲读出单元的地址加到存储器的地址输入端； 加入有效的选片信号CS； 在 线上加高电平，经过一段延时后，所选择单元的内容出现在I/O端； 让选片信号CS无效，I/O端呈高阻态，本次读出过程结束。 由于地址缓冲器、译码器及输入/输出电路存在延时，在地址信号加到存储器上之后，必须等待一段时间tAA，数据才能稳定地传输到数据输出端，这段时间称为地址存取时间。如果在RAM的地址输入端已经有稳定地址的条件下，加入选片信号，从选片信号有效到数据稳定输出，这段时间间隔记为tACS。显然在进行存储器读操作时，只有在地址和选片信号加入，且分别等待tAA和tACS以后，被读单元的内容才能稳定地出现在数据输出端，这两个条件必须同时满足。图中tRC为读周期，他表示该芯片连续进行两次读操作必须的时间间隔。 写操作的定时波形如图7.1—4所示。写操作过程如下： 将欲写入单元的地址加到存储器的地址输入端； 在选片信号CS端加上有效电平，使RAM选通； 将待写入的数据加到数据输入端； 在 线上加入低电平，进入写工作状态； 使选片信号无效，数据输入线回到高阻状态。 由于地址改变时，新地址的稳定需要经过一段时间，如果在这段时间内加入写控制信号（即 变低），就可能将数据错误地写入其他单元。为防止这种情况出现，在写控制信号有效前，地址必须稳定一段时间tAS，这段时间称为地址建立时间。同时在写信号失效后，地址信号至少还要维持一段写恢复时间tWR。为了保证速度最慢的存储器芯片的写入，写信号有效的时间不得小于写脉冲宽度tWP。此外，对于写入的数据，应在写信号tDW时间内保持稳定，且在写信号失效后继续保持tDH时间。在时序图中还给出了写周期tWC，它反应了连续进行两次写操作所需要的最小时间间隔。对大多数静态半导体存储器来说，读周期和写周期是相等的，一般为十几到几十ns。 ddr一个时钟周期内穿2次数据 ddr2一个时钟周期传4次 所以相同频率下ddr2的带宽是ddr的2倍

内存卡的内部构造是怎样的他是如何存储和运行的

1：SD卡存储卡，是用于手机、数码相机、便携式电脑、MP3和其他数码产品上的独立存储介质，一般是卡片的形态，故统称为“存储卡”，又称为“数码存储卡”、“数字存储卡”、“储存卡”等。2：存储卡具有体积小巧、携带方便、使用简单的优点。同时，由于大多数存储卡都具有良好的兼容性，便于在不同的数码产品之间交换数据。近年来，随着数码产品的不断发展，存储卡的存储容量不断得到提升，应用也快速普及。3：其原理是基于【NAND型闪存】，内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512字节）。4：每一页的有效容量是512字节的倍数。所谓的有效容量是指用于数据存储的部分，实际上还要加上16字节的校验信息，因此我们可以在闪存厂商的技术资料当中看到“（512+16）Byte”的表示方式。5：2Gb以下容量的NAND型闪存绝大多数是（512+16）字节的页面容量，2Gb以上容量的NAND型闪存则将页容量扩大到（2048+64）字节。

内存卡是怎样存东西的

拿内存条来说吧 内存条上有几个黑色的方块，那些就是存储颗粒，每个存储颗粒都有一定容量，一条内存总容量就是上面所有存储颗粒的容量之和。 分两方面来说，一方面，如果每个存储颗粒容量相同，存储颗粒多的容量就更大，比如有的内存只有一面有存储颗粒，有的内存两面都有。另一方面，随着工艺进步，晶体管的体积越来越小，那么同样体积的存储颗粒就可以容纳更多的晶体管，也即容量越大，这样相同数量的存储颗粒就可以有更大当然容量了。 存储卡也类似 平常看到的如标准SD卡，它们体积都一样，但容量不一样，其实在同样的工艺下，要增大容量，晶体管数量就要增多，体积也一定会增大。但为了让不同容量的SD卡能被同样的设备使用，它们就被加上了外壳，外壳使得它们看起来都是一样大的。 当然也可以用更先进的工艺，在相同体积的存储颗粒上制作更大的容量。 像64M和1G的存储卡这么大的容量跨度，往往上面说的两个原因都有，用更先进的工艺制作的1G的存储颗粒也许比用老旧的工艺制作的64M的存储颗粒体积还小。

sd卡上有开关吗

分析如下：

SD内存卡侧面有个小开关，叫做“写保护开关”，如图：

它的作用是：通过调整开关的位置，来决定此SD卡是否可读写，以保护卡内的数据及避免病毒入侵。

写保护开关工作原理如下：

写保护开关和SD卡内部没有任何关联，只是在外部起到位置指示作用。

读卡器中有一个簧片开关，即触点开关 。

1、当黄色的滑块处于 “非LOCK” 位置时，SD卡插入读卡器中，黄色的开关部份正好顶住读卡器的触点开关，使触点闭合，电路连通。此时就等于告诉读卡器：这张卡是可以读写的。

2、当黄色的滑块处于“LOCK”位置时，原有的位置就成了“下凹”区，不能顶住读卡器的触点开关，此时触点处于常开状态，电路未连通，也就等于告诉读卡器：这张卡只能读不能写了。

拓展资料

SD卡

Secure Digital卡简称SD卡，从字面理解，此卡就是安全卡，它比CF卡以及早期的SM卡在安全性能方面更加出色。是由日本的松下公司、东芝公司和SanDisk公司共同开发的一种全新的存储卡产品，最大的特点就是通过加密功能，保证数据资料的安全保密。

SD卡从很多方面来看都可看作MMC的升级。两者的外形和工作方式都相同，只是MMC卡的厚度稍微要薄一些，但是使用SD卡设备的机器都可以使用MMC卡。其外形尺寸32mm×24mm×2.1mm。

miniSD

SD卡对于手机等小型数码产品而略显臃肿，同时也为了追赶Duo以及Xd，SD卡阵营发表了比原来更小的存储卡，名为“miniSD”。

其外形尺寸为20mm×21.5mm×1.4mm，封装面积是原来SD卡的44%、体积是原来SD卡的63%，具有11个金手指（SD卡只有9个）。通过转接卡也可以当作SD卡使用。该卡在多普达、松下等手机上有广泛的使用。

microSD

microSD卡标准由SD协会在2005年参照T-Flash的相关标准制定出来的，T-Flash卡和 microSD卡是相互兼容的。与miniSD卡相比，microSD卡体积更为小巧，尺寸为11mm×15mm×1.4mm，它仅有标准SD卡的四分之一左右，是目前市场上体积最小的存储卡。

T-Flash卡

全名：TransFLash，由摩托罗拉与SANDISK共同研发，在2004年推出。是一种超小型卡（11*15*1MM），约为SD卡的1/4，可以算目前最小的储存卡了。TF卡可经SD卡转换器后，当SD卡使用。利用适配器可以在使用SD作为存储介质的设备上使用。

TransFlash主要是为照相手机拍摄大幅图像以及能够下载较大的视频片段而开发研制的。

TransFlash卡可以用来储存个人数据，例如数字照片、MP3、游戏及用于手机的应用和个人数据等，还内设置版权保护管理系统，让下载的音乐、影像及游戏受保护；未来推出的新型TransFlash还备有加密功能，保护个人数据、财政纪录及健康医疗文件。

体积小巧的TransFlash让制造商无须顾虑电话体积即可采用此设计，而另一项弹性运用是可以让供货商在交货前随时按客户不同需求做替换，这个优点是 嵌入式闪存所没有的。

详细说明：

1、体积约等于半张SIM卡，内设版权保护管理系统，适用于多项 多媒体应用。

2、搭配适配器之后，使用于附SD卡槽的数码产品上。

3、尺寸：11mm*15mm*1mm。

SDHC

SDHC是"Secure Digital High Capacity“的缩写，即“高容量SD存储卡”。2006年5月SD协会发布了最新版的SD 2.0的系统规范，在其中规定SDHC是符合新的规范、且容量大于2GB小于等于32GB的SD卡

SDHC最大的特点就是高容量（2GB-32GB）。另外，SD协会规定SDHC必须采用FAT32 文件系统，这是因为之前在SD卡中使用的FAT16文件系统所支持的最大容量为2GB，并不能满足SDHC的要求。

作为SD卡的继任者，SDHC主要特征在于文件格式从以前的FAT12、FAT16提升到了FAT32，而且最高支持32GB。同时传输速度被重新定义为Class2(2MB/sec)、Class4(4MB/sec)、Class6(6MB/sec)等级别，高速的SD卡可以支持高分辨视频录制的实时存储。

SDHC卡的外形尺寸32×24×2.1mm(长×宽×高)，与SD卡一样，著作权保护机能等也和以前相同，但是由于文件系统被变更，以前只支持FAT12/16格式的SD设备存在不兼容现象，也支持FAT32(SDHC)的机器，这可以读取现存的FAT12/16格式的SD卡。

所有大于2G容量的SD卡必须符合SDHC规范，规范中指出SDHC至少需符合Class 2的速度等级，并且在卡片上必须有SDHC标志和速度等级标志。

在市场上有一些品牌提供的4GB或更高容量的SD卡并不符合以上条件，例如缺少SDHC标志或速度等级标志，这些存储卡不能被称为SDHC卡，严格说来它们是不被SD协会所认可的，这类卡在使用中很可能出现与设备的兼容性问题。

SDXC

SD协会在CES 2009上展示了一款2TB容量的 SDXC存储卡（SD eXtended Capacity）。

SDXC不但拥有超大的容量，而且其数据传输速度也不俗，据介绍，其最大的传输速度预期能够达到300MB/s。拥有超大容量的存储卡，那么以后用NDS烧录卡或者是用记忆棒马甲再或者其他方面的朋友就可随意往里面丢任何东西了，不过其数据安全性能如何暂时未清楚。

这款SDXC存储卡采用的是NAND闪存芯片，使用了Microsoft的 exFAT文件系统（vista的新文件系统）。

(1) SDXC 存储卡的目前最大容量可达 64GB。理论容量是2TB

(2) 支持UHS 104，一种新的超高速SD接口规格，新SD存储卡标准Ver.3.00种的最高标准，其在SD接口上实现每秒104MB的总线传输速度，从而可实现每秒 35MB 的最大写入速度和每秒 60MB 的最大读取速度。

(3) UHS104提供传统的SD接口-- 3.3V DS (25MHz)/ HS (50MHz)，支持UHS104的新SDHC存储卡和现有的SDHC对应设备相兼容。

(4) SDXC存储卡只和装有exFAT文件系统的SDXC对应设备相兼容。它不能用于SD或SDHC对应设备。

(5) 采用最可靠的CPRM 版权保护技术。

(6)UHS104是一种新的超高速接口规格，数据总线传输速率为每秒104MB。这是SD新存储卡 标准Ver.3.00中的最高标准。

(7)SDXC 存储卡是 SD 协会于 2009 年 4 月定义的下一代SD存储卡标准，为满足大容量存储媒体的不断增长的需求，为丰富的存储应用提供更快的数据传输速率。新SDXC存储卡标准和提供4GB到32GB容量的SDHC存储卡标准相比，其所实现的容量可超越32GB，最大可达 2TB（TB：terabyte，万亿字节，1TB=1024GB）。

储存卡存储数据原理

储存卡也可以叫做闪存主要分为NOR Flash和NAND Flash两种，两种闪存的原理有所不同，下面介绍的就是这两种闪存运作的基本原理。NOR Flash闪存将数据存储在由浮闸晶体管组成的记忆单元数组内，在单阶存储单元(Single-level cell, SLC)设备中，每个单元只存储1比特的信息。而多阶存储单元(Multi-level cell, MLC)设备则利用多种电荷值的控制让每个单元可以存储1比特以上的数据。闪存的每个存储单元类似一个标准MOSFET, 除了晶体管有两个而非一个闸极。在顶部的是控制闸(Control Gate, CG)，如同其他MOS晶体管。但是它下方则是一个以氧化物层与周遭绝缘的浮闸(Floating Gate, FG)。这个FG放在CG与MOSFET通道之间。由于这个FG在电气上是受绝缘层独立的, 所以进入的电子会被困在里面。在一般的条件下电荷经过多年都不会逸散。当FG抓到电荷时，它部分屏蔽掉来自CG的电场，并改变这个单元的阀电压(VT)。在读出期间。利用向CG的电压，MOSFET通道会变的导电或保持绝缘。这视乎该单元的VT而定(而该单元的VT受到FG上的电荷控制)。这股电流流过MOSFET通道，并以二进制码的方式读出、再现存储的数据。在每单元存储1比特以上的数据的MLC设备中，为了能够更精确的测定FG中的电荷位准，则是以感应电流的量(而非单纯的有或无)达成的。逻辑上，单层NOR Flash单元在默认状态代表二进制码中的“1”值，因为在以特定的电压值控制闸极时，电流会流经通道。经由以下流程，NOR Flash 单元可以被设置为二进制码中的“0”值。1. 对CG施加高电压(通常大于5V)。2. 现在通道是开的，所以电子可以从源极流入汲极(想像它是NMOS晶体管)。3. 源-汲电流够高了，足以导致某些高能电子越过绝缘层，并进入绝缘层上的FG，这种过程称为热电子注入。由于汲极与CG间有一个大的、相反的极性电压，借由量子穿隧效应可 以将电子拉出FG，所以能够地用这个特性抹除NOR Flash单元(将其重设为“1”状态)。现代的NOR Flash芯片被分为若干抹除片段(常称为区扇(Blocks or sectors))，抹除操作只能以这些区块为基础进行;所有区块内的记忆单元都会被一起抹除。不过一般而言，写入NOR Flash单元的动作却可以单一字节的方式进行。虽然抹写都需要高电压才能进行，不过实际上现今所有闪存芯片是借由芯片内的电荷帮浦产生足够的电压，所以只需要一个单一的电压供应即可。