镁光内存颗粒型号大全（现在的内存颗粒厂商及详细参数）

本文目录

• 现在的内存颗粒厂商及详细参数
• 美光颗粒的内存条有那些品牌
• 这内存的型号
• 内存型号
• 内存条天梯图2023
• 镁光2200是什么颗粒
• 用镁光存储芯片的有哪些
• 内存条颗粒排行
• 内存编码含义的Micron（美光）

现在的内存颗粒厂商及详细参数

我们经常用到的内存品牌有：海盗船、Kingston（金士顿）、Kingmax（胜创）、APACER（宇瞻）、三星（SAMSUNG）、现代（HYNIX）等。杂牌中用的颗粒编号较多的是EACH的以及KingMAN、KingRAM等等。海盗船内存主要用于服务器或者发烧玩家，我们大家在购买电脑的时候，在资金比较宽裕的情况下，推荐选购Kingston的VALUERAM盒装内存，以及APACER盒装内存（建议购买英飞凌”INFINEON“颗粒的）这两种内存提供内存的终身质保，品质上没有任何问题，大家完全可以放心使用。如果资金不是很宽裕，建议购买非打磨现代的内存，经实践证明原厂现代内存的兼容性在所有的内存中首屈一指。但是，现代的内存假货严重泛滥，关于其造假及售假方法将在下文中提到。如果你要购买现代的兼容内存，建议你一定要买富豪代理或者金霞代理的盒装正品。如果贪图便宜选择散装条子，那就要考考您的眼力了。基本上不推荐购买杂牌内存，杂牌内存在使用寿命和质保上都不能令人满意，最后说一下Kingmax内存之所以不推荐，就是因为Kingmax内存与某些主板（如早期NFORCE 2芯片组）的兼容性不是很好，但其自身的品质和性能绝对也是业界一流的。希望在购买的时候一定要当场试试，看有没有兼容性问题.现代颗粒：作为全球几大内存颗粒生产厂家的现代公司自从进入中国以后假货也随之而来并且花样之多令人发寒。以往所谓的现代原厂内存不过是使用些小伎俩比如贴塑料纸，喷漆等下三滥的REMARK手段，而现在真正的仿冒品出来了，不仔细看的话真的会被假货所蒙骗。同时HY公司的内存颗粒一直以来算的上中规中矩，除了稳固TSOP II封装的颗粒外，根本没有生产过其他封装的产品，这里就暴露了假货的致命点。虽然外观漂亮，但是最终难逃假货的命运。目前现代主流的内存颗粒有两种，默认频率在200MHz的D-43颗粒以及250MHz的D-5颗粒。海力士（Hynix）颗粒：与英飞凌的情况类似，海力士以前是韩国现代电子公司的子公司现代半导体公司，后来从母公司中独立，改名为Hynix，所以严格的说，它的产品不能再称之为“现代内存”了。KINGSTON系列： 虽然他比KINGMAX出道晚，但是他却以迅雷不及掩耳的速度在国内走红，可能最主要的原因就是内存质量了。同样市场上也就出现了仿冒的盒装KINGSTON。辨别是否是正品非常的简单。首先，正品的封口贴纸印刷色彩丰富。假冒的产品则逊色很多。 如果不能通过包装外表来识破真假，那么就看看内存颗粒，假货为了节省成本通常使用廉价的杂牌内存颗粒，而正品则是以SAMSUNG，HY等为主的。但是必须要提防打磨的颗粒。还有一招就是拨打内存上的800电话来辨别真假。 三星原厂颗粒： 三星与现代原厂内存一直都是比较崇尚的，自从去年进入市场以来也都没有过的清闲，频繁受到了仿冒品的骚扰。 现在的所谓三星原厂的仿冒品如同以前的散装条，做工较为粗糙，PCB质量较为低劣，并且分量也不及原厂条来的重。内存颗粒的激光字体原厂的非常清晰，而仿冒品则有摩擦过的痕迹。 内存的背面也可以看到真品的走线比较清晰自然，而仿冒品则比较零乱，包括焊点的质量，谁真谁假一目了然。 为了防止仿冒品三星原厂内存的代理商未雨绸缪的使用了防伪技术，在真品的内存中贴上了一张镭射三星金条的贴纸，同时整体原厂的包装中也附带有了一张质量保证卡。相信这些仿冒者除非下血本，不然还是难以与真品的附件质量相抗衡的。 三星内存颗粒上的编号“TC”，其中的“T”代表采用TSOP封装方式。一、三星DDR系列内存芯片：三星TCB3颗粒： TCB3是三星推出的6ns DDR颗粒，可以稳定地工作在PC2700, 2-2-2-X的时序，参数非常优秀，此外它同样可以工作在PC3200，但是不能继续维持这么高的时序，200MHz时的时序为2-3-3-6，不过也已经很不错了。TCB3的频率极限在230MHz左右，对于对于默认为166MHz的内存来说超频幅度很大，TCB3对于电压并不太敏感，3.0V电压下频率提升也不是很大。现在来看这种颗粒有些过时。三星TCCC颗粒： TCCC是三星TCC系列（PC3200）里面编号为“C”的颗粒，表示其PC3200时预设CAS值为3。TCCC可以工作在250-260MHz，3-4-4-8的时序，而默认200MHz时可以保持2.5-3-3-6的时序，由于TCCC颗粒的售价比较便宜，因此和现代的D43一起成为性价比出色的代表。此外不少DDR500内存同样采用了TCCC颗粒，不过由于已经接近极限频率，留给这款内存的超频空间已经很小了。电压对于TCCC颗粒的超频有一定的影响，不过在2.8V时已经基本可以达到最高频率。三星TCC4颗粒： TCC4：TCC4是三星的另外一款5ns的DDR400内存颗粒，不过并不常见，在一些品牌的PC3200低端内存甚至是PC2700内存上面可以看到它。TCC4并不太适合超频用户，因为在加压情况下最高也只能稳定在210-220MHz，3-3-3-X的时序模式下，对电压很不敏感，只适合追求容量和性价比的用户。三星TCC5颗粒： TCC5：TCC5是三星TCC系列的一款新产品，在各方面比它的前辈TCC4都要优秀很多，一般多用在DDR466内存产品上，超频性能很不错。这款内存的默认工作频率为233MHz，初始频率比TCC4要高，默认工作时序可以达到2.5-3-3-X，在超频模式下，可以工作在250MHz和3-4-4-X的时序下，对于电压也不太敏感。这款颗粒相比TCCC和现代的D43来说并不常见，售价相对较高，对于AMD,Intel的平台都比较适应，200MHz下可以提供不错的时序，而超频状态下可以提供不错的频率，是一个不错的选择。三星TCCD颗粒： TCCD：TCCD是另一款经典高频颗粒，可以在2-2-2-X的时序下稳定工作在220MHz,也可以在2.5-4-4-X的时序下以超过300MHz的频率稳定运行，是目前工作频率最高的DDR内存芯片。TCCD对于电压的比较敏感，但是并不需要太高的电压就可以完全进入高效状态，在2.8V或者更低电压下即可达到，几乎适用于所有的主流主板。目前采用TCCD颗粒的内存产品在绝大多数主板上可以轻松达到DDR600的水准，可以满足不同用户的需要。TCCD和BH-5相比在高频时候的参数不足可以通过更高的工作频率来弥补。目前几乎所有的内存频宽记录都是由TCCD创造的，不少采用TCCD颗粒的品牌内存已经成为超频玩家们追捧的对象。三星UCCC颗粒： 此外三星UCCC内存颗粒低延迟特性也为玩家所追捧，选用UCCC颗粒的DDR400内存条，默认工作时序为3-3-3-6，在不加电压超频模式下，可以工作在240MHz和2.5-3-3-X下。相对价格也要便宜一些，非常适合大众选择。三星DDR2系列内存芯片 GCCC是目前最常见的三星颗粒，多用于DDR2-400产品 使用三星ZCD5颗粒的三星金条DDR2-533内存在不加电压超频情况下，能够以4-4-4-X的时序稳定工作在DDR2-667模式，更具备挑战DDR2-900的实力。 目前全球速度最快的三星金条DDR2-800采用三星ZCE7颗粒 最近生产的三星颗粒上，厂家标识已经从原来的“SAMSUNG”改为“SEC”了 DDR2时代，三星全面进入到GC和ZC(G为FBGA封装方式,Y为FBGA-LF)系列，另外还有SC和YC，并采用90nm生产工艺，使相同晶元可以生产出更多的颗粒，从而降低了成本。YC是外形最小的一种封装方式，性能表现也最好，现在市面上很少见到。 目前较常见到的有GCCC(多用于DDR2-400)、***5/ZCD5(多用于DDR2-533)、***6/GCE6(多用于DDR2-667)、GCF7/GCE7(多用于DDR2-800)等；这些内存颗粒在超频方面同样有着不容小视的实力，且仍保持低延迟风格。不过经过编号更改后(由SAMSUNG改为SEC)，默认时序参数已设定得较为保守，不过某些DDR2-533默认延迟仍设定在4-4-4-10上。通常情况下三星DDR2-533内存时序参数可以稳定在3-3-3-4上，优势明显，这也是为什么三星金条内存品质非常好的一个原因。GCCC和***5颗粒大都具备在5-5-5-15参数下超频至DDR2-800以上水平。三星金条作为韩国三星电子的原厂原装内存，多选用这种颗粒。KINGMAX系列： KINGMAX的产品以他的TINYBGA封装形式得以闻名，同时因为技术的独特性也一定程度抑制了假货的生存。在去年KINGMAX为了丰富自己的产品线推出了一个SUPER-RAM的系列，这个系列采用了TSOP封装技术，当然这也给仿冒工厂带来了又一个利润点。 不过KINGMAX公司也意识到了这一点，对这个系列的内存使用了非常多的防伪手段。最另人值得注意的就是PCB板正面SPD下方新设计一颗ASIC芯片(特殊用途芯片)，该颗粒采用KINGMAX专利的TinyBGA技术进行封装，内部存储了ID CODE，具有全球统一识别码，也就是说拥有唯一性，同时还附上了800电话的查询贴纸，这样假货就无处藏身了。 Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。 容量备注： KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度； KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度； KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度； KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度； KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。 Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率： -7A——PC133 /CL=2； -7——PC133 /CL=3； -8A——PC100/ CL=2； -8——PC100 /CL=3。 例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。Winbond(华邦)系列 Winbond(华邦)是台湾著名的内存芯片生产商，该公司生产的DDR内存颗粒在玩家心目中的地位是其他任何厂商没办法取代的，该公司的BH-5内存芯片已经成为高档内存的代名词。1、BH-5 BH-5是华邦公司最出名的内存颗粒，也可以称得上到目前位置最出名的内存颗粒！这些颗粒以其超强的内存参数而著称，并且对于电压相当地敏感；大多数的BH-5颗粒可以工作在2-2-2-X的参数下，当然在3.2-3.4V高压下，部分采用BH-5颗粒的极品内存甚至工作在280MHZ的频率，并且仍然维持2-2-2-x这样的时序。 当然这样体质的BH-5颗粒还比较少见，对于内存的整体要求也相当高。如果你的主板不支持2.8V以上的内存电压调节，采用BH-5颗粒的内存或许不太适合你，但是对于那些狂热的超频玩家来说，OCZ的DDR booster可以帮助他们榨干BH-5的所有能量，最高3.9V的电压可以轻松让你的BH5达到DDR500，2-2-2-X以上，当然笔者不推荐正常使用中采用这么高的电压(毕竟大多数采用BH5颗粒的内存默认电压为2.5-2.6V之间)。 2003年是BH-5颗粒产量最多的一年，但目前华邦已经宣布停产BH-5颗粒，因此现在的市面上新售内存中采用BH-5的比例非常少，多数出现在售价超贵的高端内存中，如Mushkin Black Level ram，Kingston Hyper X，Corsair XMS，TwinMos，Buffalo以及极少数低端内存产品中；当然另外一种寻找BH-5内存的方法就是在销售商的库存产品中，或二手市场，网友之间的交易来获得。2、CH-5 CH-5颗粒是华邦公司继BH-5以后推出的另外一款试用于DDR400内存产品的内存芯片，可以称之为BH-5的缩水版，为什么这样说呢？因为CH-5超频后工作参数一般只能达到2-3-2-X，频率在220-230MHZ左右，和BH-5相差甚远；并且对于电压的敏感程度比不上BH-5，高于3V的电压通常也起不到太明显的效果，这种现象虽然主要还是内存颗粒的本身体质来决定的，但是和内存厂商的PCB板设计，用料还是脱不了干系的。 不同批次的CH-5颗粒的差别也很大，一些少数CH-5颗粒同样可以达到BH-5所能够达到的成绩，当然几率非常小。目前华邦仍然在继续生产CH-5颗粒，在BH-5停产后，缩水版的CH-5也逐渐被很多高端内存所选购，成为新一代的“极品”，不少采用CH-5颗粒的内存在适当的加压后可以工作在200MHZ 2-2-2-X的模式下，目前Corsair XMS，Kingston Hyper X以及其他几个高端品牌的内存产品的一些型号均采用了CH-5颗粒。3、BH-6 BH-6作为BH-X系列的6ns版本，同样具有非常不错的性能，某些批次的BH-6的超频性能甚至能够比得上同门大哥BH-5，大多数BH-6同样可以工作在2-2-2-2X的参数下，并且在3.2-3.4V电压下可以稳定工作在240-250MHz。 不过由于华邦在推出BH-6颗粒不久后由于产能不足停止了该型号颗粒的生产，因此相比BH-5颗粒来说BH-6颗粒数量更为稀少。Mushkin Special 2-2-2，Corsair XMS，Kingston Hyper X，Kingston Value Ram PC2700等型号的内存产品上采用了BH-6颗粒。4、CH-6 CH-6是华邦CH-X系列的6ns版本，虽然大家对这款华邦低端DDR颗粒不是很看好，但是它仍然继承了华邦系列一贯的优秀品质。CH-6在大多数情况下和CH-5很相似，不过不太容易稳定在2-2-2-X的时序，和CH-5一样同样对于电压不是很敏感，最高的工作频率应该是220MHz，2-3-2-X的时序。CH-6面对的是性价比比较高的市场，在一些较低端的内存产品上比较常见，如Kingston Value Ram，Corsair Value Ram以及Mushkin Basic系列。5、UTT UTT是华邦最新推出的DDR内存颗粒，可以说和BH-5颗粒非常相似，无论是能够达到的极限频率以及工作时序，和BH5不同的是UTT颗粒需要稍高的电压才能做到这些，因此大多数超频玩家选择让UTT在3.4-3.6V的电压下工作。 UTT在一点上做的要比BH-5颗粒出色，那就是UTT颗粒无论是双面还是单面分布超频性能几乎相同，但BH-5更偏爱单面分布的方式，因此BH-5系列内存的最好超频搭配为2x256MB,但UTT无论是2x256mb或者是2x512MB的搭配都同样出色，这一优势在1GB内存成为主流容量的今天显得特别重要，512MB的容量在对付主流的3D游戏和软件应用已经捉襟见肘。 UTT颗粒在辨认上显得有点困难，可以通过印刷在颗粒表面的商标很容易地辨认出上面介绍的华邦其他四款内存芯片，但是UTT的颗粒印刷种类比较多，在寻找的时候会带来不小的难度。UTT常见的颗粒表面印着M.Tec或者Twinmos的商标，并且拥有华邦系列内存的特征(颗粒正面左右对称分布2个凹进去的小圆圈，内存的侧面可以看到两个短距离的金属横片)。 一般具备华邦内存颗粒特征但是没有印刷BH-5/CH-5的DDR400颗粒通常就是UTT颗粒了。一但拥有了采用UTT颗粒的内存，你会发现拥有1GB容量并且可以工作在275MHz 2-2-2-X时序的内存是多么值得兴奋的事。目前你可以在OCZ Gold VX系列 OCZ Value VX系列, TwinMos Speed Premium 系列以及其他多种品牌的低价内存上看到它的身影。1GB容量的售价在150美元左右，非常超值。 华邦系列内存颗粒的特征－颗粒正面左右对称分布2个凹进去的小圆圈，内存的侧面可以看到两个短距离的金属横片。镁光(Micron)系列颗粒 镁光系列DDR内存颗粒以出色的超频性能以及兼容性好而著称，好多超频玩家称之为“中庸内存”，在中端领域镁光的颗粒无人能敌。目前常见的DDR颗粒包括-5B C/-5B G系列。1、-5B C 说实话镁光的5B系列颗粒本来应该十分热卖才对，这款-5B C颗粒不仅能够达到很高的频率并且同时拥有很棒的时序，通常可以稳定工作在230MHz，2.5-2-2-X，虽然CAS延迟不能达到2.0或者更低，但是TRD和TRP却很低，均可稳定在时序2，当然工作频率还可以上的更高。-5B C对于电压同样很敏感，在3.0V电压下基本上可以达到最高频率250MHz以上。 镁光的颗粒的效能非常好，CAS2.5可以和BH-5系列CAS2相聘美，此外该款内存的异步性能非常好，对于高端的Athlon64，Intel平台处理器FSB的提升尤其有帮助。目前多家厂商推出的PC3200内存均采用了镁光的这款芯片，其中最引人注目的就是日本的Buffalo品牌，此外还包括Crucial，OCZ和其他品牌。-5B G -5B G颗粒是镁光针对前者-5B C的改进版，虽然同样为5ns芯片，但是所能达到的最高频率要高于前者，著名的Crucial Ballistix系列内存就采用了这款型号的内存颗粒，不仅工作频率高，内存时序也相当出色。 -5B G颗粒可以在保持较高频率的同时拥有出色的时序，大多数-5B G可以工作在250-260MHz，2.5-2-2-X的时序，比大多数现代的D43/D5颗粒都要出色，目前1GB容量Crucial Ballistix的售价在250美元左右，此外你还可以在镁光原厂DDR400上发现这款颗粒的身影。美光内存芯片编号的说明如下：美光科技的编号相当详细，这是因为它将所有的DRAM芯片编号进行了统一，包括久远的EDO（在一些专用设备上仍然会使用到它）和未来的DDR-2芯片，所以也显得参数很多，甚至在封装类型中还体现出有铅和无铅（Lead Free）封装，但好在分类还是比较清楚的。值得注意的是芯片的版本，其规则也基本与三星的一样，越靠后越新，但会有一些特殊的规定，如果是LF、S2、SF、T2等标识则代表了该产品集成了两个内核，可以认为是堆叠式（Stack）封装）。而特殊功能则是指产品所具备的一些功能可选项，但自刷新（Self Refresh）自从16Mb的SDRAM以后就是标准的设计，所以这一项是无关紧要的。在芯片结构方面，表示容量单位的字母（K、M、G，这三个字母大家应该很熟悉了吧）后面的数字就是芯片的位宽，它乘以前面的字母与数字组合的结果就是芯片的容量，单位是Bit。比如图中的例子是32M8，代表的是位宽为8bit，乘以32M，总容量为256Mbit。 Micron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。 含义： MT——Micron的厂商名称。 48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。 LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。 16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。 A2——内存内核版本号。 TG——封装方式，TG即TSOP封装。 -75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。以上面的芯片图为例，可以看出它的容量是256Mbit，位宽8bit，采用TSOP-II封装，产品版本应该是第一代（没有版本编号）、速度为DDR-400（3-3-3）。 实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。 其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。Infineon(英飞凌)系列颗粒 Infineon(英飞凌)科技作为内存界的元老，其在SD时代的超频性能无人能敌，并且具备完美的兼容性能。有人将Infineon称为西门子（Siemens），事实上英飞凌的前身是西门子半导体公司，在SDRAM时代，我们经常看到Siemens字样的内存，但如今Infineon早已独立，所以今后不再叫它是西门子内存了。目前英飞凌常见的几款DDR内存颗粒在超频上都有不错的表现。1、B5 这是英飞凌的5ns内存颗粒，不过并不多见，因为仅有Corsair XMS3200 rev. 3.1这款内存使用了B5颗粒，默认设置为200MHz，2-3-3-6时序，相当不错，总体特征和华邦的CH-6颗粒很类似。B5颗粒对电压同样敏感，不过没有华邦的颗粒那么明显，即使加压后超频幅度也很一般，在2.9-3.0V的电压下只能工作在220-230MHz，尝试超过这个电压更是在浪费时间。2、BT-6 这款是英飞凌的6ns颗粒，主要使用在PC2700内存产品上，和B5很类似，仅是在超频幅度上略逊于后者。Kingston的KVR2700就是采用了BT-6颗粒，可以稳定工作在215MHz，2.5-3-3-11的时序；目前6ns的BT-6算是比较落伍了，不过可以轻松达到200MHz，CAS2.5的水准，如果想要达到更高的频率和参数，就要在电压上下功夫了。综合来说，BT-6的好处就是以PC2700的价格带给你PC3200的体验。3、BT-5 目前最常见的英飞凌DDR400芯片就是BT-5，默认工作频率为200MHz,3.0-3-3-8,DDR400通常优化时序为2.5-3-2-X,显得一般，不过BT-5擅长的是频率制胜，并且对于电压敏感程度很高，在2.8V以上电压，BT-5颗粒大多可以工作在240MHz以上，少数可以达到275MHz，3-4-4-X的工作状态。目前在很多品牌包括英飞凌原厂的PC3200内存都采用了这款BT-5颗粒，是一款性价比不错的产品。4、CE-5/BE-5 在BT-5 200MHz下的时序遭人诟病以后，英飞凌的另外一款5ns DDR颗粒进入了市场，CE-5颗粒可以稳定工作在200MHz 2-3-2-X时序，此外部分产品还可以上到260MHz以上的频率，不过目前采用CE-5颗粒的内存品质参差不齐，一部分产品甚至不能稳定在225MHz以上。此外最新推出的BE-5颗粒，可以单面实现512MB容量，在参数和极限速度上相比CE-5又有进步。英飞凌内存芯片编号的说明如下：在以前，有些人一看开头是HYB就以为是现代（HYUNHAI）的内存芯片，现在可就不要再出这种错误了。在最新的编号中，英飞凌将DDR和DDR-2的产品编号进行了统一，比如DDR-2 400与DDR-400的速度编号是一样的，但在具体的产品上所代表的含义并不一样。英飞凌的编号比较简明（由于DDR内存目前都是4个逻辑Bank，所以英飞凌也就取消了该编号，但估计到了DDR-2时代，由于多了8Bank的选项，估计还会有该编码）西门子内存颗粒(实际上还是上面的英飞凌) 目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。 HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。 Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。 -7.5——表示该内存的工作频率是133MHz； -8——表示该内存的工作频率是100MHz。 例如： 1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。 1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。南亚科技（Nanya） 南亚内存芯片编号说明如下：南亚的编号也是SDRAM、DDR SDRAM与DDR-2 SDRAM统一在起，而且也比较简明，在芯片结构方面，规则与美光的一样，并且也没有逻辑Bank数量的编码，在此不再详细说明了。不过，南亚代工的内存产品也非常多，如Elixir、PQI等，但这些产品已经非常少见，并且也没有对外公布明确的编码规则。尔必达（ELPIDA）尔必达是日立与NEC各自的内存分部合并的结果，也因此在产品的编号会有两种截然不同的规则与标识，早期以HM为开头的很可能就是原日立分部的延续，而目前则基本转移到了DD开头的编号规则。近期，尔必达的声势比较大，产销形势有明显的好转，采用其芯片的金士顿模组已经在国内上市，相信今后我们能见到越来越多采用尔必达芯片的产品。尔必达内存芯片编号说明如下：尔必达的编号也是比较简单的，需要指出的是，在速度编号的后面还有可能出现其他的编码，比如L，就代表低能耗，I则代表工业级产品，具有宽广的工作温度范围（-40至85°C），不过它们很不常见，在此就不多说了。另外，编码中的第一个字母E，一般不会有，在芯片上直接以DD形状，而E则变成了尔必达的英文名称——ELPIDA。茂矽（MOSEL VITELIC）茂矽内存芯片编号说明如下：茂矽的编号也比较详细，而且比较明确，只是芯片结构一栏比较难以理解，我们可以这样看：前面的三位数是总容量，后面的两位数则是位宽（80=8bit、40=4bit、16=16bit、32=32bit），其他的就很好理解了。2003年世界最大十家DRAM厂商排名：从中可以看出，排名前十的厂商是三星（SAMSUNG，韩国）、美光（Micron，美国）、英飞凌（Infineon，德国）、Hynix（韩国）、南亚（Nanya，中国台湾）、尔必达（ELPIDA，日本）、茂矽（Mosel Vitelic，中国台湾），力晶（Powerchip，中国台湾）、华邦（Winbond，中国台湾）、冲电气（Oki，日本）。 最后要强调的是，所谓的主流厂商，就是指DRAM销售额世界排名前十位的厂商，有不少模组厂商也会自己生产内存芯片。但请注意，他们并不是真正的生产，而只是封装！像胜创（KingMax）、金士顿（Kingston）、威刚（ADATA、VDATA）、宇瞻（Apacer）、勤茂（TwinMOS）等都出过打着自己品牌的芯片，不过它们自己并不生产内存晶圆，而是从那些大厂购买晶圆再自己或找代工厂封装。

美光颗粒的内存条有那些品牌

目前市场上美光的内存颗粒主要有MT-5BC和MT-5BG两个型号，其中MT-5BC的超频性能更优秀一些。镁光的内存颗粒有非常明显的特点，在芯片的两端分别有个半圆形的缺角，独特的外形让人很容易辨认。金士顿 512MB DDR400***隐藏网址***

这内存的型号

亲，这个是镁光内存，型号：MT8JTF25664AZ-1G4M2。

这是DDR3  2GB 1600MHz 1Rx8 PC3-12800U 240UDIMM

具体参数是：

内存型号

Kingston 金士顿 零售 Kingston 1024M DDR 400 580 Kingston 1024M DDR2-667 330 Kingston 1024M DDR2-800 590 Kingston 1G 533D2D4F4 810 Kingston 1G 667D2D8F5 850 KingSton 1GD DDR2-533 RECC 860 Kingston 256M DDR 400 195 KingSton 512D DDR2-533 RECC 450 Kingston 512M 533D2D4F4 660 Kingston 512M DDR 400 320 Kingston 512M DDR2-667 200 Kingston 512M DDR2-800 380 Kingston 笔记本1G DDR2-667 340 Kingston 笔记本512M DDR2-667 230 Kingston 笔记本U3264C250/256M 280 Kingston 笔记本U6464C250/512M 500 KingBOX 黑金刚 零售 KingBOX 1024M DDR400 530 KingBOX 1G DDR2-667 悍将版 390 KingBOX 1G DDR2-1066 悍将版 600 KingBOX 1G DDR2-533(特价） 310 KingBOX 1G DDR2-667(特价) 330 KingBOX 1G DDR2-800 悍将版 500 KingBOX 1G DDR2-800 镁光 D9HNL 460 KingBOX 1G DDR2-800(现货) 370 KingBOX 256M DDR400 180 KingBOX 2G DDR2-667 910 KingBOX 2G DDR2-800 1020 KingBOX 512M DDR2-1066 360 KingBOX 512M DDR2-533 180 KingBOX 512M DDR2-667 200 KingBOX 512M DDR2-667 悍将版 270 Kingbox 512M DDR2-800 230 KingBOX 512M DDR400 310 KingBOX 笔记本1024M DDR2-667 340 KingBOX 笔记本512M DDR2-667 230 KingBOX 笔记本512M DDR-400 300 Smart美国世迈 零售 SMART DDR2 1G-533 0 SMART DDR2 1G-533(靓银) 0 SMART DDR2 1G-667 0 SMART DDR2 512-667 0 SMART DDR2 512M-533 0 SMART DDR2 512M-533(靓银) 0 Patriot美国博帝 零售 博帝(Patriot) 1024M DDR2-667 320 博帝(Patriot) 1G DDR2-1066(订货) 1850 博帝(Patriot) 1G DDR400 580 博帝(Patriot) 1G DDSR2-800 430 博帝(Patriot) 2G DDR2-1066(订货) 3350 博帝(Patriot) 512M DDR2-533 190 博帝(Patriot) 512M DDR2-667 200 博帝(Patriot) 512M DDR2-800 260 博帝(Patriot) 512M DDR400 310 Gigaram光电 零售 Gigaram 光电 512M DDR2-667 285 Gigaram 光电 512M DDR400

内存条天梯图2023

内存条是电脑中的一个重要组成部分，用户们看内存条感觉感觉都差不多，为什么不同型号的却有着那么大的差距呢，那是因为不同品牌的内存条，其运行频率也不一样，这就涉及到一些读写速度等，所以一款好的内存条，可以帮助用户们节省大量时间哦~内存颗粒排行榜：排名颗粒性能1三星特挑B-die2三星普通B-die/镁光E-diec9BLM3镁光E-dieC9BKV4镁光E-dieC9BJZ5海力士DJR6海力士CJR7长鑫CXMT8海力士1JR9镁光E-dieD9VPP10三星残血B-die/海力士JJR11三星C-die12海力士AFR13海力士MFR普通颗粒其他劣等颗粒内存条天梯图2023：排名DDR4评测1芝奇皇家戟4800详情2威刚龙耀D804133c18详情3名人堂HOFOC4600详情4十铨王者之剑图腾版4000详情5芝奇焰光戟3600c14详情排名DDR5评测1宏_掠夺者VestaII详情2十铨(Team)DELTA详情3科赋详情4芝奇幻锋戟详情5金士顿FuryBEAST详情DDR4平台：一、芝奇皇家戟48001、采用了三星特挑B-die颗粒，拥有超强的内存超频能力。2、精工雕琢的透钻导光设计，搭载高质感电镀镜面金属马甲。3、目前有金色以及银色两款高贵配色的选择。4、这款内存条将提供给电竞以及电脑DIY玩家极速体验。二、威刚龙耀D804133c181、同样采用了三星特挑B-die颗粒，在预算不够的情况下可以选择这款内存条。2、它的性价比也是非常高的，拥有着C18低延迟时序，运行更加流畅。3、提供了4133MHZ，支持全新一代的intel和AMD平台，自带XMP2.0功能。DDR5平台：一、宏_掠夺者VestaII1、采用了海力士颗粒，在DDR5平台上超越了三星B-die颗粒。2、在目前的市场上，宏_做到了30-38-38-76的时序，非常强悍。3、打开XMP就可以体验到6000MHz的低延迟内存。二、十铨(Team)DELTA1、采用了IC颗粒，支持XMP3.0一键超频，全新ddr5平台，频率达到了7200MHZ。2、目前市场上6400MHZ时序为：40-40-40-84；6200MHZ时序：38-38-38-78。3、非常酷炫的120°广角发光灯效，带给大家眼前一亮的视觉感受。内存条哪个牌子的质量好：1、芝奇：知名内存条品牌，是全球领先的内存模块专业的制造商，将提供最优质的内存产品和售后服务。2、威刚：拥有亚洲大规模的记忆体模组厂商，内存模块是非常知名的，全球知名内存产品品牌厂商。3、金士顿：结合了内存行业最广泛、最严格的测试流程之一，拥有独特的技术并不断进行创新。内存条怎么看型号：1、一般我们在内存条上的标签就能看到具体的型号以及参数。2、正常的格式为：容量——内存颗粒数——代速——速率（标识）时延电压。3、内容容量最为常见的有4GB、8GB、16GB等等。内存条有什么什么用：1、内存主要的用处是与处理器数据的交换。2、CPU处理器数据传输给内存条，内存条工作再返回给CPU处理器。3、总体来说，内存条就是电脑主机中一个桥梁的作用。

镁光2200是什么颗粒

镁光2200是TLC颗粒。

镁光2200系列

读写速度：3000MB每秒／1600MB每秒。

闪存颗粒：TLC。

存储结构：未知层数的3D NAND。

硬盘接口：PCLe3.0X4。

镁光内存颗粒介绍

镁光内存颗粒属于一直稳定耐用型的，在超频性能是无法与三星攀比的。镁光B-die是出货量较大的颗粒，属于稳定耐用型，对于超频体质比较差，大家购买这颗粒默认频率使用就行了，不用考虑超频内存。

我们知道，镁光公司旗下还有一家Spectek子公司，采用的都是镁光的降级片，这些降级颗粒的内存在颗粒上会有大S的标志，所以称之为“大S颗粒”。什么是降级片，所谓的降级片其实就是镁光生产的高频率的内存颗粒。

例如3000MHz，无法达到要求之后给子公司Spectek，降级为2400MHz或者2666MHz主流频率进行出售，或者有些大S颗粒就是低端内存筛选标准筛选下来的，较低的良品率，这种就属于垃圾颗粒，当然大S不一定就是降级片，有好也有坏。大S颗粒基本都是一些山寨内存厂商喜欢使用，通常不建议。

用镁光存储芯片的有哪些

有DDR3，DDR4和ECC三种类型的镁光内存芯片。1、DDR3是目前使用最为广泛的一种内存芯片，它采用了1.5V的低电压设计，能够保证内存的稳定运行，同时也能够降低功耗，延长电脑的使用寿命。DDR3内存芯片的主频在1333MHz到2133MHz之间，能够满足大多数计算机运行的需求此外，DDR3内存芯片还具有良好的兼容性，适用干多种品牌的计算机。2、另一种较为新型的内存芯片是DDR4，它在DDR3的基础上进行了升级。DDR4内存芯片采用了更高的主频，最高可达到3200MHz，而且还采用了更低的电压设计，只有1.2V，不仅能够提高内存的速度，还能够节约更多的能源。此外，DDR4内存芯片还增加了更多的内存通道，能够同时传输更多的数据，提高计算机系统的整体性能。值得注意的是，在使用DDR4内存芯片时，需要使用相应的主板，才能发挥其优势。目前市场上已经有不少DDR4主板可供选择，消费者可以根据自己的需求进行选择。3、除了以上提到的两种内存芯片外，还有一种名为ECC内存的镁光内存芯片。ECC内存是一种使用纠错码技术的内存芯片，能够检测并修正内存中的错，提高数据的可靠性和完整性。ECC内存通常用于一些对数据可靠性要求较高的场合，如金融，医疗，航空航天等领域。4、镁光内存芯片是计算机系统中至关重要的一部分。无论是DDR3，DDR4还是ECC内存，都能够提高计算机的性能和可靠性。当然，在选择内存芯片时，需要结合自己的需求和预算进行选择，以达到最佳的性价比。

内存条颗粒排行

大家应该都知道内存条对电脑的重要性。那么大家知道内存条颗粒排行吗？很多时候，常听人们说到“内存颗粒”，其实这是港台地区对内存芯片的一种称呼（仅对内存），其他的芯片，港台则称为“晶片”。下面我们就一起来看看2020内存条颗粒天梯图。2020内存条颗粒天梯图：1、从图中可以清晰的看出排行第一的是三星的特挑B-die4000+和镁光特挑E-die铂胜精英3600，下图是三星、海力士、镁光、南亚品牌内存颗粒性能天梯图：2、从下图可以清晰的看出海盗船DDR43000MHz8GB排行第一，排行第二的是：芝奇DDR44000MHz16GB，第三的是：芝奇DDR44608MHz8GB，下图是内存性能排行榜：以上就是2020内存条颗粒天梯图，有需要查看的用户可以到上方进行查看，希望可以帮到大家。

内存编码含义的Micron（美光）

以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。

含义：MT—Micron的厂商名称。48内存的类型。48代表SDRAM。46代表DDR。LC供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。16M8内存袭颗粒容量为128Mbits。

计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。A2—内存内核版本号。TG—封装方式，TG即TSOP封装。-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。

扩展资料：

内存编码容量计算

知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽。

注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。

通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。