什么是闪存芯片(闪存是什么意思)

2025-01-26 12:00:05 :17

什么是闪存芯片(闪存是什么意思)

闪存是什么意思

闪存(Flash Memory)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器,数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位(注意:NOR Flash 为字节存储。),区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器(EEPROM)的变种,闪存与EEPROM不同的是,它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写,这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断电时仍能保存数据,闪存通常被用来保存设置信息,如在电脑的BIOS(基本输入输出程序)、PDA(个人数字助理)、数码相机中保存资料等。因为闪存不像RAM(随机存取存储器)一样以字节为单位改写数据,因此不能取代RAM。闪存卡(Flash Card)是利用闪存(Flash Memory)技术达到存储电子信息的存储器,一般应用在数码相机,掌上电脑,MP3等小型数码产品中作为存储介质,所以样子小巧,有如一张卡片,所以称之为闪存卡。根据不同的生产厂商和不同的应用,闪存卡大概有SmartMedia(SM卡)、Compact Flash(CF卡)、MultiMediaCard(MMC卡)、Secure Digital(SD卡)、Memory Stick(记忆棒)、XD-Picture Card(XD卡)和微硬盘(MICRODRIVE)这些闪存卡虽然外观、规格不同,但是技术原理都是相同的。

什么存储器是采用闪存芯片制作的

闪存盘。

闪存芯片是快闪存储器(闪存)的主要部件,主要分为NOR型和NAND型两大类。 在一般的U盘和手机之类的产品中都可以见到它,而mp3、MP4中的闪存芯片则为SLC与MLC的居多,芯片内部的存储单元阵列为(256M +8. 192M) bit ×8bit , 数据寄存器和缓冲存储器均为(2k + 64) bit ×8bit 。

闪存盘和U盘的区别:

1、共同点:闪存盘和U盘都没有机械读写装置,避免了移动硬盘容易碰伤、跌落等原因造成的损坏;防潮防磁,耐高低温(-40°C ~ +70°C)等特性。

2、区别:闪存需要外部设备(读卡器)才能与电脑交换数据;而U盘可直接和电脑交换数据,闪存盘使用寿命比U盘长。

闪存芯片的简介

我们常说的闪存其实只是一个笼统的称呼,准确地说它是非易失随机访问存储器(NVRAM)的俗称,特点是断电后数据不消失,因此可以作为外部存储器使用。而所谓的内存是挥发性存储器,分为DRAM和SRAM两大类,其中常说的内存主要指DRAM,也就是我们熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。 闪存也有不同类型,其中主要分为NOR型和NAND型两大类。NOR型与NAND型闪存的区别很大,打个比方说,NOR型闪存更像内存,有独立的地址线和数据线,但价格比较贵,容量比较小;而NAND型更像硬盘,地址线和数据线是共用的I/O线,类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般,而且NAND型与NOR型闪存相比,成本要低一些,而容量大得多。因此,NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合,通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行,手机就是使用NOR型闪存的大户,所以手机的“内存”容量通常不大;NAND型闪存主要用来存储资料,我们常用的闪存产品,如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。 这里我们还需要端正一个概念,那就是闪存的速度其实很有限,它本身操作速度、频率就比内存低得多,而且NAND型闪存类似硬盘的操作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。因此,不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口,甚至想当然地认为闪存盘采用USB2.0接口之后会获得巨大的性能提升。前面提到NAND型闪存的操作方式效率低,这和它的架构设计和接口设计有关,它操作起来确实挺像硬盘(其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性),它的性能特点也很像硬盘:小数据块操作速度很慢,而大数据块速度就很快,这种差异远比其他存储介质大的多。这种性能特点非常值得我们留意。 NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行,如果目标区域已经有数据,必须先擦除后写入,因此擦除操作是闪存的基本操作。一般每个块包含32个512字节的页,容量16KB;而大容量闪存采用2KB页时,则每个块包含64个页,容量128KB。每颗NAND型闪存的I/O接口一般是8条,每条数据线每次传输(512+16)bit信息,8条就是(512+16)×8bit,也就是前面说的512字节。但较大容量的NAND型闪存也越来越多地采用16条I/O线的设计,如三星编号K9K1G16U0A的芯片就是64M×16bit的NAND型闪存,容量1Gb,基本数据单位是(256+8)×16bit,还是512字节。 每一页的容量决定了一次可以传输的数据量,因此大容量的页有更好的性能。前面提到大容量闪存(4Gb)提高了页的容量,从512字节提高到2KB。页容量的提高不但易于提高容量,更可以提高传输性能。我们可以举例子说明。以三星K9K1G08U0M和K9K4G08U0M为例,前者为1Gb,512字节页容量,随机读(稳定)时间12μs,写时间为200μs;后者为4Gb,2KB页容量,随机读(稳定)时间25μs,写时间为300μs。假设它们工作在20MHz。读取性能:NAND型闪存的读取步骤分为:发送命令和寻址信息→将数据传向页面寄存器(随机读稳定时间)→数据传出(每周期8bit,需要传送512+16或2K+64次)。K9K1G08U0M读一个页需要:5个命令、寻址周期×50ns+12μs+(512+16)×50ns=38.7μs;K9K1G08U0M实际读传输率:512字节÷38.7μs=13.2MB/s;K9K4G08U0M读一个页需要:6个命令、寻址周期×50ns+25μs+(2K+64)×50ns=131.1μs;K9K4G08U0M实际读传输率:2KB字节÷131.1μs=15.6MB/s。因此,采用2KB页容量比512字节也容量约提高读性能20%。写入性能:NAND型闪存的写步骤分为:发送寻址信息→将数据传向页面寄存器→发送命令信息→数据从寄存器写入页面。其中命令周期也是一个,我们下面将其和寻址周期合并,但这两个部分并非连续的。K9K1G08U0M写一个页需要:5个命令、寻址周期×50ns+(512+16)×50ns+200μs=226.7μs。K9K1G08U0M实际写传输率:512字节÷226.7μs=2.2MB/s。K9K4G08U0M写一个页需要:6个命令、寻址周期×50ns+(2K+64)×50ns+300μs=405.9μs。K9K4G08U0M实际写传输率:2112字节/405.9μs=5MB/s。因此,采用2KB页容量比512字节页容量提高写性能两倍以上。 以往NAND型闪存的数据线一般为8条,不过从256Mb产品开始,就有16条数据线的产品出现了。但由于控制器等方面的原因,x16芯片实际应用的相对比较少,但将来数量上还是会呈上升趋势的。虽然x16的芯片在传送数据和地址信息时仍采用8位一组,占用的周期也不变,但传送数据时就以16位为一组,带宽增加一倍。K9K4G16U0M就是典型的64M×16芯片,它每页仍为2KB,但结构为(1K+32)×16bit。模仿上面的计算,我们得到如下。K9K4G16U0M读一个页需要:6个命令、寻址周期×50ns+25μs+(1K+32)×50ns=78.1μs。K9K4G16U0M实际读传输率:2KB字节÷78.1μs=26.2MB/s。K9K4G16U0M写一个页需要:6个命令、寻址周期×50ns+(1K+32)×50ns+300μs=353.1μs。K9K4G16U0M实际写传输率:2KB字节÷353.1μs=5.8MB/s可以看到,相同容量的芯片,将数据线增加到16条后,读性能提高近70%,写性能也提高16%。 工作频率的影响很容易理解。NAND型闪存的工作频率在20~33MHz,频率越高性能越好。前面以K9K4G08U0M为例时,我们假设频率为20MHz,如果我们将频率提高一倍,达到40MHz,则K9K4G08U0M读一个页需要:6个命令、寻址周期×25ns+25μs+(2K+64)×25ns=78μs。K9K4G08U0M实际读传输率:2KB字节÷78μs=26.3MB/s。可以看到,如果K9K4G08U0M的工作频率从20MHz提高到40MHz,读性能可以提高近70%!当然,上面的例子只是为了方便计算而已。在三星实际的产品线中,可工作在较高频率下的应是K9XXG08UXM,而不是K9XXG08U0M,前者的频率可达33MHz。 制造工艺可以影响晶体管的密度,也对一些操作的时间有影响。譬如前面提到的写稳定和读稳定时间,它们在我们的计算当中占去了时间的重要部分,尤其是写入时。如果能够降低这些时间,就可以进一步提高性能。90nm的制造工艺能够改进性能吗?答案恐怕是否!实际情况是,随着存储密度的提高,需要的读、写稳定时间是呈现上升趋势的。前面的计算所举的例子中就体现了这种趋势,否则4Gb芯片的性能提升更加明显。综合来看,大容量的NAND型闪存芯片虽然寻址、操作时间会略长,但随着页容量的提高,有效传输率还是会大一些,大容量的芯片符合市场对容量、成本和性能的需求趋势。而增加数据线和提高频率,则是提高性能的最有效途径,但由于命令、地址信息占用操作周期,以及一些固定操作时间(如信号稳定时间等)等工艺、物理因素的影响,它们不会带来同比的性能提升。1Page=(2K+64)Bytes;1Block=(2K+64)B×64Pages=(128K+4K)Bytes;1Device=(2K+64)B×64Pages×4096Blocks=4224Mbits其中:A0~11对页内进行寻址,可以被理解为“列地址”。A12~29对页进行寻址,可以被理解为“行地址”。为了方便,“列地址”和“行地址”分为两组传输,而不是将它们直接组合起来一个大组。因此每组在最后一个周期会有若干数据线无信息传输。没有利用的数据线保持低电平。NAND型闪存所谓的“行地址”和“列地址”不是我们在DRAM、SRAM中所熟悉的定义,只是一种相对方便的表达方式而已。为了便于理解,我们可以将上面三维的NAND型闪存芯片架构图在垂直方向做一个剖面,在这个剖面中套用二维的“行”、“列”概念就比较直观了。

什么是闪存有什么用

闪存的基本概念 闪存的英文名称是"Flash Memory",一般简称为"Flash",它也属于内存器件的一种。不过闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异:目前各类DDR、SDRAM或者RDRAM都属于挥发性内存,只要停止电流供应内存中的数据便无法保持,因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存;闪存则是一种不挥发性(Non-Volatile)内存,在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据,其存储特性相当于硬盘,这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。 NAND闪存的存储单元则采用串行结构,存储单元的读写是以页和块为单位来进行(一页包含若干字节,若干页则组成储存块,NAND的存储块大小为8到32KB),这种结构最大的优点在于容量可以做得很大,超过512MB容量的NAND产品相当普遍,NAND闪存的成本较低,有利于大规模普及。NAND闪存的缺点在于读速度较慢,它的I/O端口只有8个,比NOR要少多了。这区区8个I/O端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送,速度要比NOR闪存的并行传输模式慢得多。再加上NAND闪存的逻辑为电子盘模块结构,内部不存在专门的存储控制器,一旦出现数据坏块将无法修正,可靠性较NOR闪存要差。NAND闪存被广泛用于移动存储、数码相机、MP3播放器、掌上电脑等新兴数字设备中。三星、东芝、Renesas和SanDisk是主要的NAND闪存制造商,其中三星电子凭借价格和技术双重优势获得了绝对领先的市场份额,甚至在去年第三季度超过Intel公司成为全球最大的闪存制造商。由于受到数码设备强劲发展的带动,NAND闪存一直呈现指数级的超高速增长,NAND可望在2006年超过NOR成为闪存技术的主导。 数码闪存卡:主流数码存储介质 数码相机、MP3播放器、掌上电脑、手机等数字设备是闪存最主要的市场。前面提到,手机领域以NOR型闪存为主、闪存芯片被直接做在内部的电路板上,但数码相机、MP3播放器、掌上电脑等设备要求存储介质具备可更换性,这就必须制定出接口标准来实现连接,闪存卡技术应运而生。闪存卡是以闪存作为核心存储部件,此外它还具备接口控制电路和外在的封装,从逻辑层面来说可以和闪盘归为一类,只是闪存卡具有更浓的专用化色彩、而闪盘则使用通行的USB接口。由于历史原因,闪存卡技术未能形成业界统一的工业标准,许多厂商都开发出自己的闪存卡方案。目前比较常见的有CF卡、SD卡、SM卡、MMC卡和索尼的Memory Stick记忆棒。 CF卡(CompactFlash) CF卡是美国SanDisk 公司于1994引入的闪存卡,可以说是最早的大容量便携式存储设备。它的大小只有43mm×36mm×3.3mm,相当于笔记本电脑的PCMCIA卡体积的四分之一。CF卡内部拥有独立的控制器芯片、具有完全的PCMCIA-ATA 功能,它与设备的连接方式同PCMCIA卡的连接方式类似,只是CF卡的针脚数多达五十针。这种连接方式稳定而可靠,并不会因为频繁插拔而影响其稳定性。 CF卡没有任何活动的部件,不存在物理坏道之类的问题,而且拥有优秀的抗震性能, CF卡比软盘、硬盘之类的设备要安全可靠。CF卡的功耗很低,它可以自适应3.3伏和5伏两种电压,耗电量大约相当于桌面硬盘的百分之五。这样的特性是出类拔萃的,CF卡出现之后便成为数码相机的首选存储设备。经过多年的发展,CF卡技术已经非常成熟,容量从最初的4MB飙升到如今的3GB,价格也越来越平实,受到各数码相机制造商的普遍喜爱,CF卡目前在数码相机存储卡领域的市场占有率排在第二位。 MMC卡 (MultiMediaCard) MMC卡是SanDisk公司和德国西门子公司于1997年合作推出的新型存储卡,它的尺寸只有32mm×24mm×1.4mm、大小同一枚邮票差不多;其重量也多在2克以下,并且具有耐冲击、可反复读写30万次以上等特点。从本质上看,MMC与CF其实属于同一技术体系,两者结构都包括快闪存芯片和控制器芯片,功能也完全一样,只是MMC卡的尺寸超小,而连接器也必须做在狭小的卡里面,导致生产难度和制造成本都很高、价格较为昂贵。MMC主要应用与移动电话和MP3播放器等体积小的设备,而由于体积限制,MMC卡的容量提升较为困难,目前MMC产品以128M容量为主,256MB、512MB主要供应给数码发烧友及特殊用户使用。MMC4.0标准的极速1-2GB MMC存储卡问世,新标准的MMC多媒体存储卡读取速度最高达到了150倍速(22.5MB/S),而写入速度也达到了惊人的120倍速(18MB/S)。MMC4.0标准同样和原有的MMC存储卡及SD存储卡插槽兼容,可广泛使用在手机、数码相机、掌上电脑、其他移动数字设备等。MMC4.0标准由MMCA多媒体存储卡协会在MMC3.2标准的基础上推出的。 SD卡(Secure Digital) SD卡的英文全称是Secure Digital Card,意为安全数码卡,它由日本松下公司、东芝公司和美国SanDisk公司共同研制。SD卡仍属于MMC标准体系,SD比MMC卡多了一个进行数字版权保护的暗号认证功能(SDMI规格),故而得名。 SD卡的尺寸为32mm×24mm×2.1mm,面积与MMC卡相同、只是略厚一些而已。但SD卡的容量比MMC卡高出甚多,SanDisk和松下公司都已推出容量高达1GB的SD卡。不过当前的主流还是64M、128M和256M容量,512MB以上的产品还相当昂贵。读写速度快是SD卡的另一个优点,它的最高读写速度已突破20MB/s、几乎达到闪存读写速度的极限。此外,SD卡还保持对MMC卡的兼容,支持SD卡的插口大多数都可以支持MMC卡。更重要的是,SD卡比MMC卡易于制造,在成本上有不少优势,SD卡得到了广泛应用,在MP3播放器、移动电话、数码相机、掌上电脑及便携式摄像机,目前SD卡接口支持者除了东芝、松下和SanDisk外,还包括卡西欧、惠普、摩托罗拉、NEC、先锋和Palm等公司。 SM卡(SmartMedia)与xD卡 SM卡被称为"智能型媒体卡",尺寸为37mm×45mm×0.76mm, SM卡的功能较为单一,用户必须使用配有读写及控制功能的专用设备才能对其操作,SM卡规范的升级变化比较大。

闪存是什么

闪存卡(Flash Card)是利用“闪存技术”达到存储电子信息的存储器,一般应用在 数码相机,掌上电脑,MP3等小型数码产品中作为存储介质,所以样子小巧有如一张卡片, 所以称之为闪存卡。根据不同的生产厂商和不同的应用,闪存卡大概有: SmartMedia(SM卡) Compact Flash(CF卡) MultiMediaCard(MMC卡) Secure Digital(SD卡) MemoryStick(记忆棒) XD-Picture Card(XD卡) 微硬盘(MICRODRIVE) 这些闪存卡虽然外观、规格不同,但是技术原理都是相同的闪存是基于USB接口和FlashMemo■ry闪存芯片存储介质、无需驱动器的存储器,具有无驱动、速度快、体积小、兼容性好、携带方便、容量大、寿命长等优点。 闪存以普及的USB接口作为与计算机沟通的桥梁,并且最高可达到2GB的储存空间。即插即用的功能使得计算机可以自动侦测到此装置,使用者只需将它插入计算机USB接口就可以使用,就像一般抽取式磁盘装置,读写档案、复制及删除方法与一般操作方式完全相同。目前流行的迷你移动存储产品几乎都是以闪存作为存储介质。闪存作为一种非挥发性(简单说就是在不加电的情况下数据也不会丢失,区别于目前常用的计算机内存)的半导体存储芯片,具有体积小、功耗低、不易受物理破坏的优点,是移动数码产品的理想存储介质。随着价格的不断下降以及容量、密度的不断提高,闪存开始向通用化的移动存储产品发展。 闪存有许多种类型,从结构上分主要有AND、NAND、NOR、DiNOR等,其中NAND和NOR是目前最为常见的类型。NOR型闪存是目前大家接触得最多的闪存,它在存储格式和读写方式上都与大家常用的内存相近,支持随机读写,具有较高的速度,这也使其非常适合存储程序及相关数据,手机就是它的用武之地。但是NOR型的最大缺点就是容量小,Intel最近才发布了采用0.13μm工艺生产的64Mb芯片。与NOR型相比,NAND型闪存的优点就是容量大,在去年512Mb的芯片就不是稀罕事了。但是,NAND型的速度比较慢,因为它的I/O端口只有8个,比NOR型的少多了。区区8个端口需要完成地址和数据的传输就得让这些信号轮流传送,很显然,这种时候串行传输比NOR型、内存等芯片的并行传输慢许多。但是,NAND型的存储和传输是以页和块为单位的(一页包含若干字节,若干页组成块),相对适合大数据的连续传输,这样也可以部分弥补串行传输的不利。因此,NAND型闪存最适合的工作就是保存大容量的数据,作为电子硬盘、移动存储介质等使用。 为了在各种设备上使用,闪存必须通过各种接口与设备连接:与电脑连接最常用的接口有USB、PCMCIA等;与数码设备连接则有专用的接口和外形规范,如CF、SM、MMC、SD、Memory Stick等,其中应用面最广、扩展能力较强的是CF和Memory Stick。

闪存芯片的纳米数是什么意思

芯片的纳米数是制造芯片的制程,或指晶体管电路的尺寸,单位为纳米(nm)。

闪存芯片是快闪存储器(闪存)的主要部件,主要分为NOR型和NAND型两大类。 在一般的U盘和手机之类的产品中都可以见到,而mp3、MP4中的闪存芯片则为SLC与MLC的居多。

芯片内部的存储单元阵列为(256M +8. 192M) bit ×8bit , 数据寄存器和缓冲存储器均为(2k + 64) bit ×8bit 。

扩展资料:

注意事项:

尽管闪存是一种可以支持热插拔的设备,不过如果频繁进行插拔,很容易造成USB接口出现松动的现象,而且千万要注意,在插不进去的时候,一定不能用太大力气。

闪存本身抗震防潮能力比软盘强很多,但并不代表我们对这方面就可以毫无顾及,特别是长时间不用的情况下,注意防潮还是有必要的。

闪存存放需要注意的是USB接口的氧化锈蚀和水分对内部电路的腐蚀老化。一般情况下注意放在干燥的地方并注意戴好帽子就可以了,不需要做特别的防护处理。

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2024年6月7日 17:50

苹果手机丢了怎么找回资料(苹果手机丢了里面的照片怎么找回来)

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2024年5月1日 04:10

苹果退款网址(苹果怎样申请苹果官网退款,要什么手续吗)

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2024年3月8日 04:00