三星闪存芯片型号查询（mw8209支持闪存型号）

本文目录

• mw8209支持闪存型号
• 三星手机字库容量识别
• 三星内存条怎么看内存条的型号的
• 内存颗粒型号怎么看
• 《关于三星内存颗粒型号的问题》
• 怎么看内存的型号

mw8209支持闪存型号

mw8209支持闪存型号是MW8209_6208E。优化块模式量产好重上盘模式 ，更新flash MW8209_6208E。原装三星的4G芯片 序列号 是排在B的，2G是AG08，而1G是08，量产工具 是根据 主控芯片 来定制的！可能买的水片了，黑片 或白片打个标，就成三星然后再升级成4GB。 芯片制造商: 迈科微Flash型号: TC58TEG6DDJTA00 芯片型号 : MW8209/MW8219/MXT8208闪存识别码: 98DE9493。

三星手机字库容量识别

你好，三星字库 编码规则SEC 916KLUDG8J1CB-C081SEC 厂商：三星916 9代表2019年 16周数，即2019年第16周生产KLUDG8J1CB-C081第1-2位 KL代表Nand类型字库第3位 U代表UFS，M代表EMMC第4-5位 代表容量（注意单位是bit）00代表没有、40代表4M、80代表8M、16代表16M、32代表32M、64代表64M、28代表128M、56代表256M、12代表512M1G代表1G 、2G代表2G、4G代表4G、8G代表8G、AG代表16G、BG代表32G、CG代表64G、DG代表128G、EG代表256G、FG代表512G、GG代表1024G、HG代表2048G三星的闪存芯片以K9打头，与容量相关的字段是从第4位到第7位。第4～5位表示闪存密度，12代表512M、16代表16M、28代表128M、32代表32M、40代表4M、56代表256M、64代表64M、80代表8M、1G代表1G 、2G代表2G、4G代表4G、8G代表8G、AG代表16G、（注意单位是bit）00代表没有。第6～7位表示闪存结构，00代表没有、08代表×8. 16代表×16. 32代表×32。 　　闪存芯片的容量=闪存密度×闪存结构÷8　　通过上述公式就可以计算出闪存芯片的真实容量了 编号为K9K1G08U0M-YC80的SUMSUNG闪存芯片。这块闪存芯片的规格为：128M×8bit、50ns速度，单颗容量 128MB。工作电压2.4～2.9V

三星内存条怎么看内存条的型号的

现在内存常用的分为3大类型！一、SDR的内存（用于P3的电脑上）SDR的识别方法为：内存上有两个小口，只要是两个缺口，可以直接认定是SDR，用于奔3的电脑。二、DDR一代（用于P4的电脑上）DDR一代分别有DDR333和DDR400 两种，至于是哪一类型，通常在外表没有标签的情况下很难看出来。但是识别的方法为，只有一个缺口，而且上面的芯片颗粒为 长方形，只要是长方形，一个缺口，就是DDR一代！三、DDR二代（现在的主流，双核等等）DDR二代分别有DDR444、DDR533、DDR667、DDR800现在前两种已经绝迹了，常用的是后面两种，一般在内存上都会有数字表示。识别的方法为：只有个缺口，芯片颗粒为正方形的，只要符合条件，就是DDR二代。

内存颗粒型号怎么看

看内存颗粒代码的主要含义，例：k4strong80838b-tcb0。

第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表dram。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。

内容容量计算

一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星ddr内存，使用16片samsungk4h380838b-tcb0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128mbits（兆数位）×16片/8bits=256mb（兆字节）。

《关于三星内存颗粒型号的问题》

K，第一位K的意思就是三星的内存4B，4表示DRAM，B表示DDR3系列4G，当然是单颗芯片容量，4G就是4Gb04，输出的位宽，04自然就是4bit位4，bank数，4表示8bank所以，K4B4G0446B，一条内存需要64位，单颗4位，自然就需要16颗粒，这样单条就是8G。所以这种芯片是不会做普通内存条的。K4B1G1646D，一条内存只需要4颗粒，但也可以组成8颗粒的单条1G的条子

怎么看内存的型号

用一些软件可以看出。。或者直接看内存条内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日，韩厂家，欧美及中国（含台湾省）厂家等等。看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法，下面就是内存识别资料，供大家参考： 主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下： 现代电子HYUNDAI：HY〔注：代号〕 三星SAMSUNG：KM或M NBM：AAA 西门子SIEMENS：HYB 高士达LG-SEMICON：GM HITSUBISHI：M5M 富士通FUJITSU：MB 摩托罗拉MOTOROLA：MCM MATSUSHITA：MN OKI：MSM 美凯龙MICRON：MT 德州仪器TMS：TI 东芝TOSHIBA：TD或TC 日立HITACHI：HM STI：TM 日电NEC：uPD IBM：BM NPNX：NN 一.日本产系列： 主要厂家有Hitachi〔日立〕，Toshiba〔东芝〕，NEC〔日电〕，Mitsubishi〔三菱〕等等，日产晶圆的特点是品质不错，价格稍高。 1.HITACHI〔日立〕。 日立内存质量不错，许多PC100的皆可稳上133MHz。它的稳定性好，做工精细，日立内存芯片的编号有HITACHI HM521XXXXXCTTA60或B60,区别是A60的CL是2，B60的CL是3。市面上B60的多，但完全可超133MHz外频， HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式： HM 52 XX XX 5 X X TT-XX HM代表是日立的产品，52是SDRAM，如为51则为EDO DRAM。 第1、2个X代表容量。 第3、4个X表示数据位宽，40、80、16分别代表4位、8位、16位。 第5个X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到"F"了。 第6个X如果是字母"L"就是低功耗。空白则为普通。 TT为TSOII封装。 最后XX代表速度： 75：7.5ns〔133MHz〕 80：8ns〔125MHz〕 A60：10ns〔PC-100 CL2或3〕 B60：10ns〔PC-100 CL3〕 例如：HM5264805F-B60，是64Mbit，8位输出，100MHZ时CL是3。 2.NEC。 NEC的SDRAM芯片上的标识通常为以下格式： μPD45 XX X X XG5-AXX X-XXX μPD4代表是NEC的产品。 "5"代表是SDRAM。 第1、2个X代表容量。 第3或4个X表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位。当数据位宽为16位和32位时，使用两位，即占用第4个X。由于NEC的标识的长度固定，这会对下面的数字造成影响。 第4或5个X代表Bank。"3"或"4"代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；"2"代表2个Bank。 第5个X，如为"1"代表LVTTL。如为16位和32位的芯片，第5个X已被占用，则第5个X有双重含义，如"1"代表2个Bank和LVTTL，"3"代表4个Bank和LVTTL。 G5为TSOPII封装。 -A后的XX是代表速度： 80：8ns〔125MHz〕 10：10ns〔PC100 CL 3〕 10B：10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范。 12：12ns 70：〔PC133〕 75：〔PC133〕 速度后的X如果是字母"L"就是低功耗，空白则为普通。 -XXX：第一人X通常为数字，如64Mbit芯片上常为准，16Mbit芯片上常为7，规律不详。其后的XX的"JF"、"JH"、"NF"等。估计与封装外型有关："NF"对应: 44-pinTSOP-II；"JF"对应54-pin TSOPII；"JH"对应86-pin TSOP-II。 例如：μPD4564841G5-A80-9JF，64Mbit，8位，4个Bank，在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2。 3.TOSHIBA东芝。 TOSHIBA的芯片上的标识为以下格式： TC59S XX XX X FT X-XX TC代表是东芝的产品。 59代表是SDRAM系列。其后的S为普通SDRAM，R为Rambus SDRAM，W为DDR SDRAM。 第1、2个X代表容量。64为64Mbit，M7为128Mbit。 第3、4个X表示数据位宽，04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。 第5个X估计是用来表示内核的版本。目前常见的为"B"。 FT为TSOPII封装。 FT后如果有字母"L"就是低功耗，空白则为普通。 最后的XX是代表速度： 75：7.5ns〔133MHz〕 80：8ns〔125MHz〕 10：10ns〔100MHz CL=3〕 例如：TC59S6408BFTL-80，64Mbit，8位，可正常工作在125MHz，且为低功耗型号。 二.韩国产系列： 韩国现在的SEC三星和HY（现代，它还将LGS给兼并了）占据了世界内存产量的多半份额，韩国产晶圆的特点是质量比较稳定，价格也较合理。 1.SEC〔Samsung Electronics〕三星。 三星的SDRAM芯片的标识为以下格式： KM4 XX S XX 0 X X XT-G/FX KM代表是三星的产品。 三星的SDRAM产品KM后均为4，后面的"S"代表普通的SDRAM，如为"H"，则为DDR SDRAM。 "S"前两个XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。 三星的容量需要自己计算一下。方法是用"S"后的X乘S前的数字，得到的结果即为容量。 "0"后的第一个X代表由几个Bank构成。2为2个Bank，3为难个Bank。 "0"后的第2个X，代表interface，1为SSTL，0为LVTTL。 "0"后的第3个X与版本有关，如B、C等，但每个字母下又有各个版本，在表面上并不能看得出来。 "T"为TSOP封装。 速度前的"G"和"F"的区别在自刷新时的电流，"F"需要的电流较"G"小，相当于一般的低功耗版。 "G/F"后的X代表速度： 7：7ns〔143MHz〕 8：8ns〔125MHz〕 H：10ns〔PC100 CL2或3〕 L：10ns〔PC100 CL3〕 10：10ns〔100MHz〕 例如：KM416S4031BT-GH，是64Mbit〔16*4〕，16，4个Bank，在100MHZ时CL=2。 三星公布的标准PC133芯片： Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA 2.HYUNDAI现代 现在国内常见的有HY57V65XXXXATC 10和HY57V651XXXXXATC10。现代的HY PC 100 SDRAM的编号应是ATC 10或BTC，没有A的或B的，就不是PC 100内存。经测试，发现HY编号为ATC10的SDRAM上133MHz时相当困难。而编号ATC8的上133MHz也不行，但可超到124MHz。编号BTC的SDRAM上133MHz很稳定。66841XT75为PC133的，66841ET7K为PC100的。 现代的SDRAM芯片上的标识为以下格式： HY 5X X XXX XX X X X X XX -XX HY代表是现代的产品。 5X表示芯片类型，57为一般的SDRAM，5D为DDR SDRAM。 第2个X代表工作电压，空白为5V，"V"为3.3V, "U"为2.5V。 第3-5个X代表容量和刷新速度，分别如下： 16：16Mbits，4K Ref。 64：64Mbits，8K Ref。 65：64Mbits，4K Ref。 128：128Mbits，8K Ref。 129：128Mbits，4K Ref。 256：256Mbits，16K Ref。 257：256Mbits，8K Ref。 第6、7个X代表芯片输出的数据位宽，40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。 第8个X代表内存芯片内部由几个Bank组成，1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank。是2的幂次关系。 第9个X一般为0，代表LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口。 第10个X可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新。 第11个X如为"L"则代表低功耗的芯片，如为空白则为普通芯片。 第12、13个X代表封装形式，分别如下： JC：400mil SOJ TC：400mil TSOP-II TD：13mm TSOP-II TG：16mm TSOP-II 最后几位为速度： 7：7ns〔143MHz〕 8：8ns〔125MHz〕 10p：10ns〔PC-100 CL2或3〕 10s：10ns〔PC-100 CL3〕 10：10ns〔100MHz〕 12：12ns〔83MHz〕 15：15ns〔66MHz〕 例如：常见的HY57V658010CTC-10s，HY是现代的芯片，57说明是SDRAM，65是64Mhbit和4K refresh cycles/64ms，下来的8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。需要指出的是-10K不是PC100的产品，-7J和-7K也不是PC133的产品。-8的性能要好于-7K和-7J。 3.LGS〔LG Semicon〕 LGs早已被HY现代纳入麾下，但还是有必要单独介绍下它。LG现有的内存条编号后缀为7J、7K、10K、8。其中10K是非PC100规格的，速度极慢。7J和7K才是PC 100的SDRAM，7J和7K工作模式的速度参数不同，LGs 7J编号在1073222，LGs 7K编号是1072222，两者的主要区别是第三个反应速度的参数上。而8才是真正的8ns PC 100内存，但国内没有出现。现在市面上还有很多10K的LGs内存，速度比7J和7K差很远，但因外型相差不大，所以不少奸商把10K冒充7J或7K的来卖。而7J和7K经过测试比较，7K比7J的更优秀，上133MHz时7K比7J更稳定，但7K的市面上不多见。 LGS的SDRAM芯片上的标识为以下格式： GM72V XX XX X 1 X X T XX GM代表为LGS的产品。 72代表SDRAM。 第1、2个X代表容量，类似现代，16为16Mbits，66为64Mbits。 第3、4个X表示数据位宽，一般为4、8、16等，不补0。 第5个X代表Bank，2对应2个Bank，4对应4个Bank，和现代的不一样，属于直接对应。 第6个X表示是第几人版本的内核，现在至少已经排到"E"了。 第7个X如果是字母"L"，就是低功耗，空白则为普通。 "T"为常见的TSOPⅡ封装，现在还有一种BLP封装出现，为"I"。 最后的XX自然是代表速度： 7.5：7.5ns〔133MHz〕 8：8ns〔125MHz〕 7K：10ns〔PC-100 CL2或3〕 7J：10ns〔100MHz〕 10K：10ns〔100MHz〕 12：12ns〔83MHz〕 15：15ns〔66MHz〕 例如：GM72V661641CT7K，这是64Mbit，16位输出，4个Bank，刚达到PC-100的要求（CL=3）SDRAM。 三.欧美生产系列及其它： 在欧美内存厂商中Micron，IBM，SIEMENS西门子等都较有名气。另外中国台湾省的厂家这几年来进步也很神速，如茂矽、台晶、华邦、台积电和联华等厂家在生产规模和技术上已经赶韩超美了，国产的晶圆的质量不错，价格也很便宜。 1.Micron。 Micron的SDRAM芯片上标识为以下格式： MT48 XX XX M XX AX TG-XX X MT代表是Micron的产品。 48代表是SDRAM系列。其后的XX如为LC则为普通SDRAM。46V为DDR SDRAM。 Mricron的容量需要自己计算一下。方法是将XX M XX中的M前后的数字相乘，得到的结果即为容量。 M后的XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。 AX代表Write Recovery〔Twr〕，如A2表示Twr=2clk。 TG为TSOPII封装。LG为TGFP封装。 最后的XX是代表速度： 7：7ns〔143MHz〕 75：7.5ns〔133MHz〕 8X：8ns〔125MHz〕 其中X为A~E，字母越后性能越好。按CL-TRCD-TRP的表示方法A~E分别为：3-3-3、3-2-3、3-2-2、2-2-2、2-2-2。 10：10ns〔100MHz CL3〕 速度后如有L则为低耗。 2.IBM。 PC电脑的开山鼻祖实力当然不俗。IBM的PC100内存有XXXXXXXCT3B260。 IBM的SDRAM芯片上的标识为以下格式： IBM03 XX XX X XT3X ---XXX IBM代表为IBM的产品。 IBM的SDRAM产品均为03。 第1、2个X代表容量。 第3、4个X表示数据位宽，为40、80、16等。 一般的封装形式为TSOP。对4位数据位宽的型号，如第4个X不为0而为B，则为TSOJ封装。 第5个X意义不详，16Mbit上多为9，64Mbit上多为4。 第6个X为P为低功耗，C为普通。 第7个X表示内核的版本。 最后的XXX代表速度： 68： 6.8ns〔147MHz〕 75A: 7.5NS〔133MHz〕 260或222：10ns〔PC100 CL2或3〕 360或322：10ns〔PC100 CL3〕在B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ。 10：10NS〔100MHz〕 例如：IBM0316809CT3D-10，16Mbit，8位，不符合PC-100规范。 3.SIEMENS〔西门子〕 芯片标识：HYB39S xx xx0 x T x -xx 前两个xx为容量,最后两位xx是速度： 6—166MHz 7—143MHz 7.5—133MHz 8—125MHz 8B—100MHz〔CL3〕 10—100MHz〔PC66规格